Implementation of oxide vertical channel TFTs with sub-150 nm channel length using atomic-layer deposited IGZO active and HfO2 gate insulator

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标题	Implementation of oxide vertical channel TFTs with sub-150 nm channel length using atomic-layer deposited IGZO active and HfO2 gate insulator
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/abcbc4
DOI	10.1088/1361-6528/abcbc4 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Hyun-Joo Ryoo; Nak-Jin Seong; Kyu-jeong Choi; Sung‐Min Yoon 出版日期：2020-11-18
求助人	jhl 在 2026-08-13 13:53:39 发布自四川，悬赏 10 积分
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