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Reliable single-ended ultra-low power GNRFETs-based 9T SRAM cell with improved read and write operations 基于GNRFETs的可靠单端超低功耗9T SRAM单元,具有改进的读写操作
相关领域
静态随机存取存储器
晶体管
计算机科学
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:Pramod Kumar Patel; M.M. Malik; Tarun Kumar Gupta 出版日期:2024-01-20 |
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