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标题
[求助补充材料] Comprehensive Physical Model of Dynamic Resistive Switching in an Oxide Memristor
氧化物忆阻器动态电阻开关的综合物理模型
相关领域
记忆电阻器 神经形态工程学 重置(财务) 材料科学 电阻随机存取存储器 计算机科学 切换时间 非易失性存储器 热传导 光电子学 纳米技术 电子工程 电压 电气工程 人工智能 人工神经网络 工程类 金融经济学 经济 复合材料
网址
DOI
10.1021/nn405827t doi
其它 期刊:ACS Nano
作者:Sungho Kim; Shinhyun Choi; Wei Lü
出版日期:2014-02-26
求助人
二十八化生 在 2025-12-13 00:19:30 发布自河北,悬赏 20 积分
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