Ultrafast carrier dynamics in InGaN quantum well channel based high electron mobility transistor structure

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标题	Ultrafast carrier dynamics in InGaN quantum well channel based high electron mobility transistor structure 基于InGaN量子阱沟道的高电子迁移率晶体管结构的超快载流子动力学相关领域超短脉冲感应高电子迁移率晶体管晶体管光电子学电子迁移率电子频道（广播）动力学（音乐）材料科学量子阱化学物理物理高电子迁移率晶体管计算机科学光学量子力学电信电压声学激光器
网址	https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2024.120997
DOI	10.1016/j.jlumin.2024.120997 doi
其它	期刊：Journal of Luminescence 作者：Payal Taya; S. Khan; J. Jayabalan; Asha Singh; Vikash Kumar Singh; et al 出版日期：2024-11-22
求助人	沐雨疏桐在 2025-12-05 22:10:02 发布自吉林，悬赏 10 积分
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