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 New substrate passivation method dedicated to HR SOI wafer fabrication with increased substrate resistivity 专用于HR SOI晶片制造的新衬底钝化方法，具有增加的衬底电阻率
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钝化
绝缘体上的硅
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Dimitri Lederer; Jean‐Pierre Raskin 出版日期：2005-10-24 |
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