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 Enhancing RRAM Reliability: Exploring the Effects of Al Doping on HfO2-Based Devices 相关领域
电阻随机存取存储器
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Andrea Baroni; Eduardo Pérez; Keerthi Dorai Swamy Reddy; Stefan Pechmann; Christian Wenger; et al 出版日期：2025-06-18 |
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