Hydrogen induced interface passivation in atomic layer deposited Al2O3 films and Al2O3/SiO2 stacks

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标题	Hydrogen induced interface passivation in atomic layer deposited Al2O3 films and Al2O3/SiO2 stacks
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.04.031
DOI	10.1016/j.mssp.2018.04.031 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Shizheng Li; Ning Yang; Xiao Yuan; Cui Liu; Xiaojun Ye; Hongbo Li 出版日期：2018
求助人	白木鸢在 2026-05-31 17:58:15 发布自浙江，悬赏 10 积分
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