Asymmetric GaN/ZnO Engineered Resistive Memory Device for Electronic Synapses

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标题	Asymmetric GaN/ZnO Engineered Resistive Memory Device for Electronic Synapses 用于电子突触的非对称GaN/ZnO工程电阻存储器件相关领域神经形态工程学材料科学光电子学横杆开关肖特基二极管计算机科学电子工程二极管人工神经网络电信工程类人工智能
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c01006
DOI	10.1021/acsaelm.1c01006 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Muhammad Shahzeb Khan; Qazi Muhammad Saqib; Jungmin Kim; Sobia Khan; Qazi Muhammad Saqib; et al 出版日期：2022-01-13
求助人	精神小伙在 2023-10-25 16:01:35 发布自山东，悬赏 10 积分
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