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 Key parameters affecting STT-MRAM switching efficiency and improved device performance of 400°C-compatible p-MTJs 相关领域
磁阻随机存取存储器
材料科学
毯子
垂直的
光电子学
隧道磁电阻
计算机科学
随机存取存储器
复合材料
几何学
计算机硬件
数学
图层（电子）
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期刊：2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：G. Hu; M. G. Gottwald; Q. He; J. H. Park; G. Lauer; et al 出版日期：2018-01-31 |
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