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 The effect of device electrode geometry on performance after hot-carrier stress in amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors with different via-contact structures 不同通孔接触结构的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管热载流子应力后器件电极几何形状对性能的影响
相关领域
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Po‐Yung Liao; Ting‐Chang Chang; Yu‐Jia Chen; Wan-Ching Su; Bo‐Wei Chen; et al 出版日期：2017-05-15 |
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