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标题
[高分] High‑temperature electrical performances and physics‑based analysis of p‑GaN HEMT device
p-GaN HEMT器件的高温电学性能和基于物理的分析
相关领域
材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 氮化镓 泄漏（经济） 电导 晶体管 阈值电压 电容 带隙 电压 凝聚态物理 电气工程 纳米技术 化学 物理 电极 图层（电子） 经济 物理化学 宏观经济学 工程类
网址
http://dx.doi.org/10.1049/iet-pel.2019.0510
DOI
10.1049/iet-pel.2019.0510 doi
求助人
yup 在 2025-07-10 16:50:54 发布自安徽，悬赏 100 积分
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