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标题
Suppression Effect of Split-Gate Structure on Repetitive Avalanche Stress Induced Degradation for SiC MOSFETs
分裂栅结构对SiC MOSFET重复雪崩应力诱导退化的抑制作用
相关领域
降级（电信） 材料科学 压力（语言学） MOSFET 光电子学 随时间变化的栅氧化层击穿 工程物理 电子工程 电气工程 栅氧化层 工程类 晶体管 电压 语言学 哲学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3466123
DOI
10.1109/ted.2024.3466123 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Zhaoxiang Wei; Jiaxing Wei; Hao Fu; Lei Huang; Yu Tian; et al
出版日期：2024-10-03
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虚幻的天问 在 2025-12-03 17:13:13 发布自山西，悬赏 10 积分
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