Significant improvement of endurance of Si FeFET through minor hysteresis loop and narrow write pulse width

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标题	Significant improvement of endurance of Si FeFET through minor hysteresis loop and narrow write pulse width 通过较小的磁滞回线和较窄的写入脉冲宽度显著提高Si FeFET的耐久性相关领域材料科学光电子学晶体管铁电性电压可扩展性磁滞 CMOS芯片兴奋剂电子工程电气工程计算机科学凝聚态物理工程类物理数据库电介质
网址	https://doi.org/10.35848/1882-0786/aca26f
DOI	10.35848/1882-0786/aca26f doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Jiahui Duan; Hao Xu; Jinjuan Xiang; Xiaolei Wang; Wenwu Wang 出版日期：2022-11-14
求助人	ozuoano 在 2025-12-09 13:51:41 发布自内蒙古，悬赏 10 积分
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