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Developing 13-kV 4H-SiC MOSFETs: Significance of Implant Straggle, Channel Design, and MOS Process on Static Performance
13kV 4H-SiC MOSFETs的研制：注入分散、沟道设计和MOS工艺对静态性能的影响
相关领域
跨导 材料科学 JFET公司 光电子学 MOSFET 电子迁移率 电气工程 电压 工程类 场效应晶体管 晶体管
网址
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3017150
DOI
10.1109/TED.2020.3017150 doi
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研友_yLpYkn 在 2025-11-22 08:56:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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