The role of point defects and arsenic precipitates in carrier trapping and recombination in low-temperature grown GaAs

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标题	The role of point defects and arsenic precipitates in carrier trapping and recombination in low-temperature grown GaAs
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/69/10/1465/18521423...
DOI	10.1063/1.116909 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：A. J. Lochtefeld; M. R. Melloch; J. C. P. Chang; E. S. Harmon 出版日期：2002-07-26
求助人	洛苏在 2026-02-02 15:43:52 发布自广东，悬赏 10 积分
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