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Perspective: Zinc‐Tin Oxide Based Memristors for Sustainable and Flexible In‐Memory Computing Edge Devices 展望:用于可持续和灵活的内存计算边缘设备的基于氧化锌锡的忆阻器
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
材料科学
电阻随机存取存储器
纳米技术
锡
无定形固体
GSM演进的增强数据速率
制作
计算机科学
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Carlos Silva; Jonas Deuermeier; Weidong Zhang; Emanuel Carlos; Pedro Barquinha; et al 出版日期:2023-09-08 |
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