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标题
Sn doping induced interfacial barrier height tailoring in Ga2O3 deep-ultraviolet photodetector
Si掺杂引起Ga2 O3深紫外光探测器界面阻挡高度定制
相关领域
材料科学 紫外线 光电探测器 兴奋剂 光电子学
网址
https://doi.org/10.1007/s40843-025-3509-0
DOI
10.1007/s40843-025-3509-0 doi
其它 期刊：Science China. Materials
作者：Lili Yang; Shan Li; Mianjie Li; Maolin Zhang; Zeng Liu; et al
出版日期：2025-09-08
求助人
Mic 在 2025-12-06 17:58:54 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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