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 Correlations between reverse bias leakage current, cathodoluminescence intensity and carbon vacancy observed in 4H-SiC junction barrier Schottky diode 4H-SiC结势垒肖特基二极管反向偏置漏电流、阴极发光强度与碳空位的关系
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阴极发光
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Lok-Ping Ho; Sihua Li; Tianxiang Lin; Jack Cheung; Tony Chau; et al 出版日期：2023-09-19 |
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