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High-Temperature Thermal Stability of a Graphene Hall Effect Sensor on Defect-Engineered 4H-SiC(0001) 缺陷工程4H-SiC(0001)上石墨烯霍尔效应传感器的高温热稳定性
相关领域
热稳定性
石墨烯
材料科学
氢
分析化学(期刊)
外延
光电子学
纳米技术
化学
有机化学
图层(电子)
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Tymoteusz Ciuk; Corinne Nouvellon; Fabien Monteverde; B. Stańczyk; Krystyna Przyborowska; et al 出版日期:2024-07-31 |
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