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标题
Novel Si/SiC heterojunction lateral double-diffused metal–oxide semiconductor field-effect transistor with p-type buried layer breaking silicon limit*
p型埋层突破硅极限的新型Si/SiC异质结横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管*
相关领域
LDMOS 材料科学 异质结 碳化硅 光电子学 电场 击穿电压 晶体管 功勋 硅 半导体 图层（电子） 电压 电气工程 纳米技术 复合材料 物理 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/abcf45
DOI
10.1088/1674-1056/abcf45 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Baoxing Duan; Xin Huang; Haitao Song; Yandong Wang; Yintang Yang
出版日期：2020-12-01
求助人
考研预备 在 2025-08-29 19:12:34 发布，悬赏 10 积分
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