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标题
Modeling the effect of spatial position and concentration of defects on optical degradation of InGaN/GaN multi quantum well light emitting diodes
缺陷空间位置和浓度对InGaN/GaN多量子阱发光二极管光学退化影响的模拟
相关领域
材料科学 光电子学 量子阱 发光二极管 二极管 波长 光学 物理 激光器
网址
https://doi.org/10.1117/12.2606843
DOI
10.1117/12.2606843 doi
其它 期刊：
作者：Claudia Casu; Matteo Buffolo; Alessandro Caria; Carlo De Santi; Enrico Zanoni; et al
出版日期：2022-03-04
求助人
xiaoxiao 在 2025-07-30 06:24:22 发布，悬赏 20 积分
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