An Electrothermal Model for AlGaN/GaN Power HEMTs Including Trapping Effects to Improve Large-Signal Simulation Results on High VSWR

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标题	An Electrothermal Model for AlGaN/GaN Power HEMTs Including Trapping Effects to Improve Large-Signal Simulation Results on High VSWR
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/22/4387657/04381296.pdf?...
DOI	10.1109/tmtt.2007.907141 doi
其它	期刊：IEEE transactions on microwave theory and techniques 作者：O. Jardel; F. de Groote; T. Reveyrand; J. Jacquet; C. Charbonniaud; et al 出版日期：2007-12-10
求助人	诚心孤菱在 2026-09-22 12:28:48 发布自重庆，悬赏 10 积分
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