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 Negative Offset Operation of Four-Transistor CMOS Image Pixels for Increased Well Capacity and Suppressed Dark Current 用于增加阱容量和抑制暗电流的四晶体管CMOS图像像素的负偏移操作
相关领域
晶体管
CMOS芯片
暗电流
光电子学
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材料科学
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电气工程
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计算机科学
光学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Bongki Mheen; Young-Joo Song; Albert Theuwissen 出版日期：2008-03-27 |
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