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 Low Thermal Resistance X-band AlGaN/GaN/AlN-on-SiC RF Power HEMTs with Record P out = 41 W/mm and f T ×BV = 31 THz•V 相关领域
材料科学
光电子学
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期刊： 作者：Hong Zhou; Kun Zhang; Chaoqun Zhang; Qifeng LYU; Hui Zhang; et al 出版日期：2025-12-06 |
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