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 First demonstration of DG monolayer MoS 2 FETs with 0.3 nm-thin contact extensions achieving near immunity to SCEs at L CH =20 nm and g m =206 μS/μm 相关领域
跨导
光电子学
材料科学
单层
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期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Jun Cai; Hao-Yu Lan; Yuanqiu Tan; Zhihong Chen; Joerg Appenzeller 出版日期：2026-01-31 |
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