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 MOCVD growth of β-Ga2O3 with fast growth rates (>4.3 μm/h), low controllable doping, and superior transport properties 相关领域
金属有机气相外延
兴奋剂
材料科学
增长率
化学
光电子学
纳米技术
外延
数学
几何学
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Dong Su Yu; Lingyu Meng; Hongping Zhao 出版日期：2024-12-09 |
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