| 标题 |
 In Situ Site-Specific Gallium Filling and Nanograin Growth for Blocking of Threading Defects in Semipolar (112̅2) GaN 相关领域
成核
材料科学
蓝宝石
线程（蛋白质序列）
位错
叠加断层
原位
光电子学
堆积
GSM演进的增强数据速率
发光
外延
结晶学
纳米技术
化学
复合材料
光学
图层（电子）
物理
有机化学
蛋白质结构
计算机科学
激光器
电信
生物化学
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期刊：Crystal Growth & Design 作者：Zhengyuan Wu; Pengyu Song; Tienmo Shih; Linna Pang; Li Chen; et al 出版日期：2017-08-02 |
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