Investigation of the Physical Properties of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited Silicon Nitride as Etch Stopper

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标题	Investigation of the Physical Properties of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited Silicon Nitride as Etch Stopper 等离子体增强原子层沉积氮化硅作为刻蚀阻挡剂的物理性能研究相关领域材料科学氢等离子体增强化学气相沉积原子层沉积杂质分析化学（期刊）硅硅烷氮化硅薄膜纳米技术复合材料光电子学化学色谱法有机化学
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.8b15291
DOI	10.1021/acsami.8b15291 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Harrison Sejoon Kim; Xin Meng; Si Joon Kim; Antonio T. Lucero; Lanxia Cheng; et al 出版日期：2018-11-28
求助人	duoduo7 在 2025-01-13 20:19:54 发布自福建，悬赏 10 积分
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