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 Enhanced Reliability and Neuromorphic Functionality of a-IGZO-Based Memristors via N2 Annealing-Induced Vacancy Modulation 相关领域
神经形态工程学
材料科学
记忆电阻器
光电子学
电阻随机存取存储器
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yu-Bin Kim; Sung-Ho Kim; Dong-Min Kim; Shivam Kumar Gautam; Hi-Deok Lee 出版日期：2026-10-21 |
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