Impact of Random Interface Traps Fluctuation on Device Variation of Oxide-Semiconductor Ferroelectric Field-Effect Transistor Memories

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标题	Impact of Random Interface Traps Fluctuation on Device Variation of Oxide-Semiconductor Ferroelectric Field-Effect Transistor Memories 随机界面陷阱涨落对氧化物半导体铁电场效应晶体管存储器器件变化的影响相关领域铁电性符号材料科学物理数学量子力学电介质算术
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3329493
DOI	10.1109/led.2023.3329493 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Qiang Li; Yu-Xi Yang; Tian-Tong Cheng; Leiying Ying; Baoping Zhang; et al 出版日期：2023-11-02
求助人	yilita 在 2025-08-28 23:11:19 发布自贵州，悬赏 10 积分
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