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![]() GaN中垂直HEMT结构沟槽填充的优化
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外延
材料科学
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高电子迁移率晶体管
金属有机气相外延
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晶体管
蚀刻(微加工)
反应离子刻蚀
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Jan-Patrick Scholz; Chen Chen; Ferdinand Scholz 出版日期:2022-03-01 |
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