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Vacancy-type defects induced by grinding of Si wafers studied by monoenergetic positron beams
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网址
https://doi.org/10.1063/1.4896829
DOI
10.1063/1.4896829 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Akira Uedono; Yoriko Mizushima; Young-Suk Kim; T. Nakamura; Takayuki Ohba; et al
出版日期：2014-10-02
求助人
南橘 在 2026-01-27 10:41:24 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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