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GaN-on-Si HEMT for D-Band Power Amplification Demonstrating 0.67 W/mm at 10 V |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Hanchao Li; Qingyun Xie; Zhongzhiguang Lu; Hanlin Xie; Yihao Zhuang; et al 出版日期:2025-07-22 |
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(2025-6-4)