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标题
In situ IV and CV characterization of Pt/n-GaN Schottky barrier diodes irradiated by 100 MeV oxygen ions
100 MeV氧离子辐照Pt/n-GaN肖特基势垒二极管的原位IV和CV表征
相关领域
肖特基势垒 肖特基二极管 材料科学 热离子发射 辐照 光电子学 通量 分析化学（期刊） 二极管 离子 化学气相沉积 化学 电子 物理 量子力学 有机化学 核物理学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1007/s10854-023-11227-7
DOI
10.1007/s10854-023-11227-7 doi
其它 期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics
作者：Navneet Kumar; Fakir Chand; Ratnesh K. Pandey; Ranjeet K. Brajpuriya; Ramcharan Meena; et al
出版日期：2023-09-01
求助人
丸子 在 2025-12-05 16:04:43 发布自上海，悬赏 10 积分
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