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 First Demonstration of Dual-Gate IGZO 2T0C DRAM with Novel Read Operation, One Bit Line in Single Cell, ION=1500 μA/μm@VDS=1V and Retention Time>300s 相关领域
德拉姆
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期刊：2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Wendong Lu; Zhengyong Zhu; Kaifei Chen; Menggan Liu; Bok-Moon Kang; et al 出版日期：2023-01-24 |
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