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 Chemical mechanical polishing (CMP) of on-axis Si-face 6H-SiC wafer for obtaining atomically flat defect-free surface 同轴Si-face 6H-SiC晶片的化学机械抛光（CMP）以获得原子级平坦的无缺陷表面
相关领域
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材料科学
抛光
磨料
表面粗糙度
泥浆
复合材料
扫描电子显微镜
光电子学
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期刊：Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者：Guoshun Pan; Yan Zhou; Guihai Luo; Xiao‐Lei Shi; Chunli Zou; et al 出版日期：2013-10-08 |
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