Chemical mechanical polishing (CMP) of on-axis Si-face 6H-SiC wafer for obtaining atomically flat defect-free surface

化学机械平面化 薄脆饼 材料科学 抛光 磨料 表面粗糙度 泥浆 复合材料 扫描电子显微镜 光电子学
作者
Guoshun Pan,Yan Zhou,Guihai Luo,Xiao‐Lei Shi,Chunli Zou,Hua Gong
出处
期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics [Springer Science+Business Media]
卷期号:24 (12): 5040-5047 被引量:81
标识
DOI:10.1007/s10854-013-1519-1
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