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  Computing in-memory reconfigurable (accurate/approximate) adder design with negative capacitance FET 6T-SRAM for energy efficient AI edge devices 为节能AI边缘设备计算具有负电容FET 6T-SRAM的内存可重构（精确/近似）加法器设计
相关领域
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加法器
电容
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计算机科学
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电子工程
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量子力学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Birudu Venu; Tirumalarao Kadiyam; Koteswararao Penumalli; Sivasankar Yellampalli; Ramesh Vaddi 出版日期：2024-03-11 |
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