Artificial optoelectronic synapse based on CdSe nanobelt photosensitized MoS2 transistor with long retention time for neuromorphic application

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标题	[高分] Artificial optoelectronic synapse based on CdSe nanobelt photosensitized MoS2 transistor with long retention time for neuromorphic application 相关领域神经形态工程学材料科学光电子学突触晶体管神经促进计算机科学光敏性长时程增强兴奋性突触后电位人工神经网络神经科学化学人工智能电气工程抑制性突触后电位电压生物工程类生物化学受体
网址	https://www.degruyter.com/document/doi/10.1515/nanoph-2024-0...
DOI	10.1515/nanoph-2024-0368 doi
其它	期刊：Nanophotonics 作者：Xiaohui Song; Xiaojing Lv; Mengjie He; Fei Mao; Jie Bai; et al 出版日期：2024-08-28
求助人	刘壮实在 2026-01-28 19:12:40 发布自云南，悬赏 50 积分
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