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 Electrical Properties of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with and without Mesa Structure 有台面结构和无台面结构Ga2O3肖特基势垒二极管的电学性质
相关领域
材料科学
光电子学
氮化镓
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期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：Minyeong Kim; Nolan S. Hendricks; Neil Moser; Pragya R. Shrestha; Sujitra Pookpanratana; et al 出版日期：2023-08-28 |
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