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标题
Electrical Properties of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with and without Mesa Structure
有台面结构和无台面结构Ga2O3肖特基势垒二极管的电学性质
相关领域
材料科学 光电子学 氮化镓 击穿电压 肖特基二极管 碳化硅 宽禁带半导体 二极管 肖特基势垒 带隙 半导体 功率半导体器件 镓 电力电子 欧姆接触 工程物理 电压 纳米技术 电气工程 复合材料 冶金 图层（电子） 工程类
网址
https://doi.org/10.1149/ma2023-01321840mtgabs
DOI
10.1149/ma2023-01321840mtgabs doi
其它 期刊：ECS Meeting Abstracts
作者：Minyeong Kim; Nolan S. Hendricks; Neil Moser; Pragya R. Shrestha; Sujitra Pookpanratana; et al
出版日期：2023-08-28
求助人
精明玲 在 2025-12-15 14:05:39 发布自陕西，悬赏 10 积分
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