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标题
The role of etching gas purity in C4F8/Ar plasma to optimize SiO2 etching process
网址
DOI
10.1016/j.mee.2025.112353 doi
其它 期刊:Microelectronic Engineering
作者:Anhan Liu; Shijun Yu; Shingo Nakamura; Akinari Sugiyama; Takashi Nishikawa; et al
出版日期:2025-05-02
求助人
霜幕 在 2026-01-29 18:23:31 发布自湖北,悬赏 10 积分
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