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标题
Design and Validation of a V-Gate n-MOSFET-Based RH CMOS Logic Circuit with Tolerance to the TID Effect
基于V栅n-MOSFET的RH CMOS逻辑电路的设计与验证
相关领域
CMOS芯片 MOSFET 与非门 逻辑门 栅氧化层 吸收剂量 电子工程 等效门电路 集成电路 电气工程 材料科学 光电子学 工程类 辐射 晶体管 物理 电压 光学
网址
https://www.mdpi.com/2079-9292/12/15/3331/pdf?version=169106...
AI链接 mdpi.com mdpi.comdoi.org
DOI
10.3390/electronics12153331 doi
其它 期刊：Electronics
作者：Donghan Ki; Min-Woong Lee; Nam-Ho Lee; Seong-Ik Cho
出版日期：2023-08-03
求助人
waingfory 在 2025-12-10 21:49:57 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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