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 Novel approach to improve heat dissipation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a Cu filled via under device active area 相关领域
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期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Ya-Hsi Hwang; Tsung-Sheng Kang; F. Ren; S. J. Pearton 出版日期：2014-10-03 |
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