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 Investigation of contact mechanism and gate electrostatic control in multi-channel AlGaN/GaN high electron mobility transistors with deep recessed ohmic contact 相关领域
欧姆接触
材料科学
光电子学
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接触电阻
电子迁移率
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Ling Yang; Hao Lu; Xuerui Niu; Meng Zhang; Chunzhou Shi; et al 出版日期：2022-10-27 |
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