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 Effect of hydrostatic pressure on the Auger coefficient of InGaN/GaN multiple-quantum-well laser diode 静水压对InGaN/GaN多量子阱激光二极管俄歇系数的影响
相关领域
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期刊：Journal of Nanophotonics 作者：Rajab Yahyazadeh; Zahra Hashempour 出版日期：2023-05-23 |
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