| 标题 |
 Single Transistor-Based Methods for Determining the Base Resistance in SiGe HBTs: Review and Evaluation Across Different Technologies 相关领域
材料科学
晶体管
双极结晶体管
光电子学
基础（拓扑）
电子工程
异质结双极晶体管
硅锗
电气工程
工程物理
计算机科学
工程类
硅
数学
电压
数学分析
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Andreas Pawlak; Julia Krause; Wittkopf Holger; M. Schröter 出版日期：2016-11-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
GingerF
潇洒的惋清
学术文献互助
pluto
jenningseastera
柏柏
无极微光
Criminology34
称心妙竹
cherry2000
yjh123
Nole
tiptip
初景
Puan
MchemG
Haiverxin
YifanWang
皖公网安备34019202002308
