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Single Transistor-Based Methods for Determining the Base Resistance in SiGe HBTs: Review and Evaluation Across Different Technologies
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材料科学 晶体管 双极结晶体管 光电子学 基础（拓扑） 电子工程 异质结双极晶体管 硅锗 电气工程 工程物理 计算机科学 工程类 硅 数学 电压 数学分析
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2016.2620601
DOI
10.1109/ted.2016.2620601 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Andreas Pawlak; Julia Krause; Wittkopf Holger; M. Schröter
出版日期：2016-11-03
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二六 在 2025-11-18 11:20:33 发布自福建，悬赏 10 积分
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