Optimization of a 3.5 μm Pitch 3D-Stacked Back-Illuminated SPAD in 40 nm CIS Technology: Achieving 37% PDP at 940 nm

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标题	Optimization of a 3.5 μm Pitch 3D-Stacked Back-Illuminated SPAD in 40 nm CIS Technology: Achieving 37% PDP at 940 nm 40 nm CIS技术中3.5 μ m间距3D堆叠背照SPAD的优化：在940 nm实现37%PDP
网址	http://dx.doi.org/10.23919/VLSITechnologyandCir65189.2025.11075016
DOI	10.23919/VLSITechnologyandCir65189.2025.11075016 doi
求助人	yybb2012 在 2025-07-29 10:13:26 发布自上海，悬赏 20 积分
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