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 Temperature Dependence of the Output Optical Power of Semiconductor Lasers–Thyristors Based on AlGaAs/GaAs/InGaAs Heterostructures 基于AlGaAs/GaAs/InGaAs异质结构的半导体激光器晶闸管输出光功率的温度依赖性
相关领域
光电子学
异质结
晶闸管
材料科学
半导体
激光器
半导体激光器理论
砷化镓
功率（物理）
光学
物理
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期刊：Bulletin of the Lebedev Physics Institute 作者：P. S. Gavrina; A. A. Podoskin; I. V. Shushkanov; S. O. Slipchenko; N. A. Pikhtin; et al 出版日期：2024-11-01 |
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ZHANGLinlin
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