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 0.5-V 25-nm 6-T Cell with Boosted Word Voltage for 1-Gb SRAMs 0.5 V 25nm 6-T单元，字电压升压，适用于1-Gb SRAM
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Akira Kotabe; Kiyoo Itoh; R. Takemura 出版日期：2012-01-01 |
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