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 The impact of high-k dielectrics on the performance of Schottky barrier source/drain (SBSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFET 相关领域
材料科学
肖特基势垒
电介质
绝缘体上的硅
光电子学
MOSFET
电极
硅
电气工程
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物理
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工程类
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Suzhen Luan; Hongxia Liu; Jia Ren-Xu; Cai Nai-Qiong; Jin Wang 出版日期：2008-01-01 |
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